原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅體源，化學吸附至表面飽和時自動終止，適當?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件的工具。
原子沉積系統(tǒng)的優(yōu)點包括：
1. 可以通過控制反應周期數(shù)準確控制薄膜的厚度，從而達到原子層厚度精度的薄膜；
2. 由于前驅體是飽和化學吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜；
3. 可生成較好的三維保形性化學計量薄膜，作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層；
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物；
5. 薄膜生長可在低溫下進行(室溫到400度以下)；
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底；
7. 原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質和MEMS器件，生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。
原子沉積系統(tǒng)的技術參數(shù)：
基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；
加熱溫度：25℃—400℃(可選配更高)；
均勻性： < 2%；
前驅體數(shù)：4路(可選配6路)；
兼容性： 可兼容100級超凈室。
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